一、种植红薯全套技术视频教程?
备耕
1)深耕
土壤板结会造成甘薯生长缓慢,就算多施肥料也难增产。深耕能加深活土层,疏松熟化土壤,增强土壤养分分解,提高土壤肥力,增加土壤蓄水能力,改善土壤透气性,有利于茎叶生长和根系向深层发展,从而提高甘薯产量。
对土壤结构良好,有机质含量较高,或表土黏厚的应深翻,但一般不要超过40厘米,过度深翻反而容易招致减产。一般深耕30厘米比浅耕15厘米增产20%左右。宜在晴天深耕,切忌在土壤粘湿时耕作,以免造成泥土紧实。深翻要结合施有机肥,增加土壤有机质,以改善土壤理化性质,有利于提高土壤肥力。
2)起垄
甘薯主要是起垄种植,垄作优点是,比平作栽培增加地表面积,增大受光面积,增加土体与大气的交界面,昼夜温差大,且有利于田间降湿排水。在起垄时要尽量保持垄距一致,如宽窄不匀会造成邻近的植株间获得的营养不同,造成优势植株过分营养生长,而弱势植株可能得不到充分的阳光及养分,生长不匀影响产量。
海南甘薯的起垄方式差异很大,各有优缺点,其中一种起垄方式是,起垄时,垄顶整平,有的在种植薯苗后,略在垄两边勾土垫高,中间做成沟形,这有利苗期淋水抗旱,也方便两边施肥,保水保肥好,在生长中后期方便逐渐多次盖土,防治象鼻虫。但要注意用此法种植甘薯时,一是容易插植薯苗过深,有深达10厘米的,二是后期盖土时,容易造成薯块覆土过深,当块根生长于垄心深层,处于板结贫瘠且水热和通风透气不良条件下,不利结薯和薯块膨大,造成低产。另外,就是多数垄距过宽,有些达1.5米,未能充分利用土地,因甘薯苗期长势慢,封行迟,也不利抗旱,且封行慢导致的除草工也多,另外,垄距过宽则每亩苗数少,不利获得高产。
一、育苗选苗
1、品种要纯
甘薯生产应尽量采用同一品种和种苗质量一致,当不同品种或优劣种苗混栽时,极易导致减产,这是目前南方甘薯低产劣质的主因之一。由于甘薯不同品种间和优劣种苗间存在较大差异,有的前期生长旺盛,有的前期生长迟缓,有的品种耐肥,有的品种耐瘠,还有的品种蔓较长,有的品种蔓较短,那么,混栽后的部分植株获得优势,营养生长过盛,从而影响了另一部分弱势植株的生长,另外,有些优势植株的茎叶旺长,反而会导致薯块产量低于正常水平。一般情况下,就算两个高产品种混栽也会降低产量。
2、壮苗
要用壮苗,剔除弱苗,壮苗与弱苗的产量可相差20~30%。因为壮苗返苗快,成活率高,长出的根多、根壮,吸收养分能力强。要求薯苗粗壮,有顶尖,节间不太长,无病虫害症状。采苗时如乳汁多,表明薯苗营养较丰富,生活力较强,可作为诊断薯苗质量的指标之一。薯苗长度一般要达20~25厘米,具有六个展开叶较好,薯苗太长则带的叶片较多,蒸腾面积大,返苗迟,而苗太短,则需要较长时间才能达到正常苗的长度,薯苗过长过短都不利高产。
培育壮苗必须采用薯块育苗,一般在插植前100天,选择大小适中(单薯重以200~300克为宜)、整齐均匀、无病虫、无伤口、薯块作种。先在1米宽的苗床排种育苗,当薯块长出的薯苗长度达25~30厘米时,即进行假植繁苗,并在假植苗节数达到6~10个节位时进行摘心打顶促分枝。在计划种植前5~8天薄施速效氮肥培育嫩苗壮苗,当薯苗长度达25~30厘米时,应及时采苗种植。强调剪采第一段嫩壮苗作种苗,剪苗时应留头部5厘米内的数个分枝,但不可留得过长,从新发苗,如此循环剪苗。
尽量使用第一段苗,切忌使用中段苗(第二、三段苗),主要原因是甘薯常常携带黑斑病、根腐病菌及线虫病等,薯块中携带的病原物会缓慢向薯芽顶部移动,而顶苗可在很大程度上避免薯苗携带病菌,原因是病原物的移动速度低于薯芽的生长速度,病原物大部分滞留在基部附近,上部薯苗带病的可能性比较小。有些地方如海南农民很少用薯块育苗,习惯用茎蔓多年连续繁苗,有的还用第二段苗,造成甘薯品种种性退化和产量下降,这是海南甘薯低产的主要原因之一。
二、选择好的育苗至关重要
1、甘薯脱毒育苗
脱毒甘薯是利用生物技术将甘薯内的病毒清除出来,并培育出无病毒的甘薯秧苗,恢复优良种性,提高产量和品质。目前我国主要采用“组培育苗”的技术,进行茎尖脱毒后繁育薯苗,主要措施包括试管苗快繁和土壤扦插嫩尖苗等。
2、灭菌杀虫
灭菌:主要目的是预防因病害而造成老小苗的发生。方法是采用40%多菌灵胶悬剂50倍液或70%甲基托布津700倍液,把薯苗基部6~8厘米段浸泡10~15分钟。杀虫:杀灭种苗虫源,可用乐果等杀虫剂先喷杀准备采苗的甘薯田地,种前,可用乐果500倍液浸甘薯藤的头部1-2分钟。
栽插
1、栽插时间
南方夏秋薯区,主要包括福建、江西、湖南三省的南部,广东和广西的北部,夏薯一般在5月间栽插,秋薯一般在7月上旬至8月上旬栽插。南方秋冬薯区,包括海南全省,广东、广西、云南和台湾的南部,秋薯一般在7月上旬至8月中旬栽插,而冬薯一般在11月栽插。 海南由于气候优越,全年可种,但以稻田冬种甘薯为佳,其优势在于:一是充分利用冬闲田,其时气候由热逐渐转凉,符合甘薯全生长期的要求,后期有利淀粉积累,且水旱轮作的土壤有利甘薯生长,减少病虫害,容易获得高产优质甘薯,二是由于反季节生产,鲜食甘薯可销往大陆和出口日韩等国。
最好选择阴天土壤不干不湿时进行,晴天气温高时宜于午后栽插。不宜在大雨后栽插甘薯,这易形成柴根。应待雨过天晴,土壤水分适宜时再栽。也不宜栽后灌水,栽后灌水或在大雨后栽插,成活率较高,但薯苗往往长时间长势不好,原因在于土壤呈现水分饱和状态,且土温偏冷,同时,土壤也变得比较紧实,土壤中的氧气含量减少,妨碍了根系发展,生长缓慢。久旱缺雨,则可考虑抗旱栽插,挖穴淋水,待水干后盖上薄土,栽苗后踩实,让根与土紧密接触,提早成活。如栽苗后才淋水,则需再覆干土在表面保湿。
2、合理密植
1)温棚培植
每亩插植2500~4000株,在一定密度内,一般产量随着密植程度提高而增加,而大中薯率随着密植程度提高而下降,如果是作为食用,不需要大薯,可适当密植,收获中小薯,容易销售。一般以垄宽1米,垄高25~35厘米,每亩插3300株左右最为适宜。要注意插植的株距一致,株距不匀,则容易造成靠在一起的两株成为弱势植株。
2)栽插方法
甘薯栽插方法较多,主要有以下5种栽插法,一般以水平栽插法为佳。
水平栽插法:苗长20~30厘米,栽苗入土各节分布在土面下5厘米左右深的浅土层。此法结薯条件基本一致,各节位大多能生根结薯,很少空节,结薯较多且均匀,适合水肥条件较好的地块,各地大面积高产田多采用此法。但其抗旱性较差,如遇高温干旱、土壤瘠薄等不良环境条件,则容易出现缺株或弱苗。此外,由于结薯数多,难于保证各个薯块都有充足营养,导致小薯多而影响产量。如是生产食用鲜薯,则小薯多反而好销。
斜插法:适于短苗栽插,苗长15~20厘米,栽苗入土10厘米左右,地上留苗5~10厘米,薯苗斜度为45度左右。特点是栽插简单,薯苗入土的上层节位结薯较多且大,下层节位结薯较少且小,结薯大小不太均匀。优点是抗旱性较好,成活率高,单株结薯少而集中,适宜山地和缺水源的旱地。可通过适当密植,加强肥水管理,争取薯大而获得高产。
船底形栽插法:苗的基部在浅土层内的2~3厘米,中部各节略深,在4~6厘米土层内。适于土质肥沃、土层深厚、水肥条件好的地块。由于入土节位多,具备水平插法和斜插法的优点。缺点是入土较深的节位,如管理不当或土质黏重等原因,易成空节不结薯,所以,注意中部节位不可插得过深,砂地可深些,黏土地应浅些。
直栽法:多用短苗直插土中,入土2~4个节位。优点是大薯率高,抗旱,缓苗快,适于山坡地和干旱瘠薄的地块。缺点是结薯数量少,应以密植保证产量。
压藤插法:将去顶的薯苗,全部压在土中,薯叶露出地表,栽好后,用土压实后浇水。优点是由于插前去尖,破坏了顶端优势,可使插条腋芽早发,节节萌芽分枝和生根结薯,由于茎多叶多,促进薯多薯大,而且不易徒长。缺点是抗旱性能差,费工,只宜小面积种植。
3、栽插注意事项
浅栽。由于土壤疏松、通气性良好、昼夜温差大的土层最有利于薯块的形成与膨大,因此,栽插时薯苗入土部位宜浅不宜深,在保证成活的前提下宜实行浅栽。浅栽深度在土壤湿润条件下以5~7厘米为宜,在旱地深栽也不宜超过8厘米。
但在阳光强烈且地旱的条件下,要注意如果过浅栽插,因地表干燥和蒸腾作用强烈,薯苗难长根,茎叶易枯干,导致缺苗,应考虑适当深栽等措施。增加薯苗入土节数。这有利于薯苗多发根,易成活,结薯多,产量高。入土节数应与栽插深浅相结合,入土节位要埋在利于块根形成的土层为好,因此以使用20~25厘米的短苗栽插为好,入土节数一般为4~6个。栽后保持薯苗直立。直立的薯苗茎叶不与地表接触,避免栽后因地表高温造成灼伤,从而形成弱苗或枯死苗。
干旱季节可用埋叶法栽插。埋土时,要将尽可能多的叶片埋入土中,埋叶法成活率高,返苗早,有利增产,由于甘薯的叶面积较大,通常需要较多的水分供其生长,特别是薯苗栽插后对水分需求较高。此时如果将大部分叶片暴露在土壤表面,在强烈的阳光照射下需要大量的水分供其生理调节,但刚栽插的薯苗没有根系,仅靠埋入土中的茎部难以吸收足够的水分,结果造成叶片与茎尖争水,茎尖呈现萎焉状态,返苗期向后推迟,严重时造成薯苗枯死。而将大部分叶片埋入湿土中可有效地解决薯苗的供水问题,叶片不仅不失水,还可从土壤中吸收水,保证茎尖能够尽快返青生长。
二、木门贴皮技术视频教程?
目前市场上有2种皮
1:不干胶
2:薄皮 不关是那样的皮 首先是你的门的预处理 :刮灰 (用调和漆和石膏配的放少量的水) 等灰干了 220以下的细砂纸打磨平整。去灰 。按需要将纸裁好(比你要的尺寸大1CM[注意纸上的木纹走向])薄皮纸过水。木工用白胶刷在要贴的门上 纸上要有水但不能多 两个人牵起纸轻放注意要1个人先放 然后用皮刮板向左右刮 排出空气 直到队友可以放手。
懂的人是说起来难 做起来简单 不懂的人的做起来难 说起来容易 建议你找个懂的人帮你 工价又不高
三、芯片封装技术?
封装技术就是把通过光刻蚀刻等工艺加工好的硅晶体管芯片加载电路引脚和封壳的过程。硅基芯片是非常精密的,必须与外界隔绝接触,保证不被温度、湿度等因素影响,所以要加封壳。芯片中众多细微的电路也要通过封装技术连接在一起才能使芯片运行,所以要加载引脚电路。
四、口袋机甲芯片攻略?
如果你想攻略口袋机甲芯片系统,下面是一些建议:1. 了解口袋机甲芯片系统的基础知识:了解口袋机甲芯片系统的组成部分、芯片类型、属性和特性等基础知识,可以帮助你更好地理解和应用这个系统。2. 收集芯片碎片:芯片碎片是口袋机甲芯片系统中的关键资源,收集足够的芯片碎片可以解锁更多的高级芯片。你可以通过日常任务、活动任务、关卡挑战等方式来获取芯片碎片。3. 选择合适的芯片:根据口袋机甲的职业和属性需求,选择合适的芯片进行搭配。不同芯片有不同的功能和效果,如攻击力提升、防御力提升、技能伤害加成等。根据口袋机甲的特点和个人的喜好,进行合理的芯片搭配。4. 强化和进阶芯片:通过消耗芯片经验和金币,可以强化芯片的属性和效果。强化可以提升芯片的战斗力,使口袋机甲更强大。进阶芯片则可以解锁更高级的属性和效果,提升整体实力。5. 参与芯片副本:芯片副本是一个重要的内容,可以获得大量芯片碎片和稀有材料。定期参与芯片副本,提高自己获取芯片碎片的速度和数量。6. 参与芯片竞技场:芯片竞技场是一个可以与其他玩家进行芯片对战的地方。通过与其他玩家的对战,可以获得丰厚的奖励和排名奖励,提升自己在口袋机甲芯片系统中的竞技实力。7. 关注游戏更新和活动:口袋机甲芯片系统可能会不定期更新和推出一些活动,这些更新和活动往往会带来新的芯片和资源奖励。尽量保持关注,参与活动,获取最新的芯片资源。8. 持续提升机甲等级:口袋机甲的等级越高,可以搭载的芯片数量越多。因此,持续提升口袋机甲的等级,可以提升整体的芯片搭配能力。希望以上建议可以帮助你攻略口袋机甲芯片系统,在游戏中取得更好的成绩!
五、果树修剪技术视频教程怎样修剪果树?
果树种植、生长需要结合树种、品种、生长环境、培养方向等因素,先确定需要哪种树形,之后再制定树形培养方案,从小树开始一般需要3-5年才能形成基本骨架。目前能搜到的果树修剪技术,针对结果树的比较多,总体原则是解决树体、果园的通风透光效果,采用短截、回缩、疏除、缓放、造伤、改变生长方向等方法,来达到稳定树势、平衡树体生长的目的。果树每个生长时期,修剪的目的也不一样。幼树期,以快速扩大树冠为目的,结果初期,以控制树体生长为要求,盛果期之后,以平衡生长和结果的关系为关键,衰老期,以恢复树势为目的。总之,需要依据果树的具体情况来进行修剪培养,延长果树的经济结果年限,做到优质、丰产、高效。
六、韩国芯片技术如何?
韩国芯片技术全球领先,比如三星等,都是芯片行业的佼佼者
七、朝鲜芯片技术如何?
朝鲜技术封闭非常严重,因为任何信息泄漏出来都会遭到世界的封锁,像芯片技术更是如此,但是从朝鲜可以发射远程导弹的能力来看,恐怕会有90nm的能力。
八、芯片多重曝光技术?
多重曝光技术是为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点,在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发的,如LELE(litho-etch-litho-etch)、SADP(self aligned double patterning)。
LELE技术将给定的图案分为两个密度较小的部分,通过蚀刻硬掩模,将第一层图案转移到其下的硬掩模上,最终在衬底上得到两倍图案密度的图形。
比如说一台28纳米的光刻机,第一次曝光得到28纳米制程的图形,第二次曝光得到14纳米制程的芯片,通常不会有第三次曝光,因为良品率非常低,像台积电这种技术最高的代工厂,也没能力用28纳米光刻机三次曝光量产芯片。
九、芯片堆叠技术原理?
芯片堆叠技术是一种将多个芯片堆叠在一起,形成一个整体的集成电路结构。这种技术可以有效地提高芯片的性能、功耗和尺寸等方面的综合指标。其原理主要包括以下几个方面:
1. 竖向连接:芯片堆叠技术通过在芯片之间实现密集的电气和热学连接。这些连接可以通过不同的技术实现,如线缆、微弹性物质、无线射频等。这些连接能够在不同层次的芯片之间传递信号、电力和热量。
2. 堆叠设计:芯片堆叠技术需要对芯片的布局、排列和引线进行设计。多个芯片在垂直方向上堆叠,需要考虑它们之间的物理空间、互连的长度和连接方式等。
3. 互连技术:为了实现芯片堆叠,需要采用多种互连技术。这些技术包括通过焊接、压力或其他方法在芯片之间建立可靠的电连接。同时,还需要考虑减小连接间的电阻和电感,以提高信号传输速度和品质。
4. 散热和电源管理:由于芯片堆叠技术会使芯片密集堆叠,并且芯片之间的功耗和热量传输对散热和电源管理提出了更高的要求。因此,在芯片堆叠设计中需要考虑如何有效地散热和管理电源,以维持芯片的正常工作。
总的来说,芯片堆叠技术通过结构和连接的设计,实现了多个芯片在垂直方向上的堆叠,从而在有限的空间内提供更高的集成度和性能。通过优化互连、散热和电源管理等方面,可以实现更高效和可靠的芯片堆叠结构。
十、A芯片的技术特点?
A4
苹果在2010年1月27日正式发布A4芯片,这颗芯片堪称苹果的处女作。它采用一颗45nm制程800MHz ARM Cortex-A8的单核心处理器,在同等频率下性能表现好于三星S5PC110,但是其核心的结构和此前使用的三星处理器十分相似,仅仅是主频升高,因此A4芯片并不能算苹果真正意义上的成果,但这却为苹果实现真正自研奠定了基础。
A5和A6
A5是苹果首款双核处理器,发布于乔布斯的遗作iPhone 4S,其拥有更高的计算能力和更低的功耗。