碲锌镉发展史？

一、碲锌镉发展史？

CdZnTe材料的研究最早开始于1991年，并且由于其高分辨率的潜质以及可以在室温下操作的显著特性，曾引起过业界的轰动。但自那以后，CdZnTe基质探测器几乎没有什么突出的进展。

2000年，生长工艺的一项新进展使得更大型CdZnTe晶体的生产成为可能，但是由于其晶体内的杂质存在，其分辨率仍然不好。

美国布鲁克海文国家实验室(BNL)在CdZnTe晶体探测技术方面取得了突破性进展，有可能大大改进远距离探测核辐射物质的技术。

该实验室的科学家使用国家同步加速光源测试发现，以往未被注意到的CdZnTe晶体内的“死区”，造成晶体结构内大量碲沉积，大大降低γ射线分辨率。

BNL的科学家发现，通过发现和去除“死区”能够提高分辨率，从而制作出更大型、更精确的CdZnTe基质核辐射物质探测器。虽然CdZnTe探测器的分辨率尚不能与锗探测器相比，但却大大高于碘化钠探测器。

二、热成像芯片

三、脉冲星热成像用的什么芯片？

xp50芯片。

脉冲星xp50芯片好于PH35，因为脉冲星xp50具有开创性的热成像隐形，640×480分辨率非冷却焦平面阵列（FPA）微测辐射热计传感器，像素间距17m，具有前所未有的NETD灵敏度。

四、热成像传感器芯片怎么变成图像？

热成像传感器芯片通过接收来自物体表面发出的红外辐射，将其转换成电信号。这些电信号经过处理后被传输到图像处理器中，图像处理器将电信号转换成热成像图像。

在这个过程中，热成像传感器芯片通过捕捉物体发出的红外辐射，将其转换成可视化的热成像图像，使用户能够通过观察图像来获取物体的温度分布和热量分布情况。